Nexperia
  • 产品
    双极性晶体管
    • 特殊功能晶体管
    • 具有3个端子的可调式并联稳压器
    • 通用低VCEsat双极性晶体管
    • LED驱动器/恒定电流源:
    • 配电阻晶体管(RET)
    二极管
    • 汽车二极管
    • 齐纳二极管
    • 开关二极管
    • 肖特基二极管和整流器
    • 恢复整流器
    • 锗化硅(SiGe)整流器
    ESD保护、TVS、信号调节
    • 汽车ESD保护和TVS
    • ESD保护
    • 带集成保护的EMI解决方案
    • 瞬时电压电涌抑制器(TVS)
    MOSFET
    • 小信号MOSFET
    • 功率MOSFET
    • 汽车MOSFET
    • 应用专用MOSFET
    氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
    模拟和逻辑IC
    • 汽车逻辑器件
    • 模拟
    • 异步接口逻辑器件
    • I/O扩展逻辑器件
    • 同步接口逻辑器件
    • 控制逻辑器件
    汽车
    • 汽车双极性晶体管
    • 汽车二极管
    • 汽车ESD保护和TVS
    • 汽车MOSFET
    • 汽车逻辑器件
  • 应用
    汽车
    • ADAS雷达传感器模块
    • Airbag controller with Safing MOSFET
    • 防抱死制动系统
    • 自动HVAC - BLDC鼓风机电机
    • 冷却风扇
    • 电子燃油喷射
    • 电动助力转向
    • 自适应LED前照灯
    • 车载网络(CAN / LIN / FlexRay)保护
    • 车载网络(CAN / LIN / FlexRay)保护
    • LED backlight for touch screens and cameras
    • 用于车内LED照明的恒定电流源
    • 高功率、高效率直流/直流转换器
    • 降压直流/直流转换器
    移动和可穿戴应用
    • 智能手表/健身跟踪器
    • 耳塞
    • GPS跟踪器
    • 智能手表/健身跟踪器
    • 智能手机
    • USB-Type-C AC/DC壁式充电器
    • 有线和无线快速充电
    Industrial and Power
    • 12–48 V power tools and cordless equipment
    • 48/12 V DC/DC转换(电信/服务器)
    • 5G宏/微电池电源
    • 80 PLUS Titanium Industrial PSU (GaN-based)
    • AC EV wallbox / Bidirectional DC wallbox
    • Electric forklift truck
    • Factory Automation and Industry 4.0
    • Fluid Pump Control
    • 通信基础设施的热插拔
    • HVAC (Air conditioning)
    • 工业电源(PSU)
    • Intelligent outdoor street lighting
    • Photovoltaic (PV) single-phase string inverter
    • 供电设备/以太网供电
    • 电动自行车
    计算和消费电子
    • 电动自行车
    • High performance computing / Server
    • 刀片服务器的热插拔
    • Medical diagnostics and therapy
    • Smoke / Fire detector
    • 固态驱动器(SSD)
    • 无人机(UAV)
    子系统
    • 天线保护(NFC / 蓝牙)
    • 恒定电流源
    • I2C voltage translation
    • 基于移位寄存器的LED驱动器
    • 电磁阀驱动器
    • USB4连接和兼容性 
    • DC/DC conversion for MCU core supply
    • 电池供电式电机控制驱动(25-100 V)
    • 异步降压直流/直流转换器
    • 同步降压直流/直流转换器
    参考设计
    • H桥电机控制器电源电路
    • Broadcom GAN039-650NBB half bridge evaluation board
    • USB Type-C ESD protection evaluation
    Application notes
    Interactive application notes
    • Tutorial
    • IAN50001 - Reverse battery protection in automotive applications
    • IAN50002 - LED side light SEPIC DC-to-DC converter
    • IAN50003 - Driving solenoids in automotive applications
    • IAN50004 - Using power MOSFETs in DC motor control applications
    • IAN50005 - Paralleling power MOSFETs in high power applications
    • IAN50007 - Conducted battery line transients
    • IAN50009 - Power MOSFET applications in automotive BLDC and PMSM drives
  • 质量
  • 支持
  • 商店
  • 工作机会
  • 关于
  • 新闻
  • 博客
  • 购物车
  • Hello,
    • 经销商门户
    • My Nexperia
    • My account
    • 退出登录
  • My Nexperia
  • English
  • 中文
搜索
  • 搜索
  • 交叉参考
  • 参数搜索
Or cross multiple parts
  1. 主页
  2. 产品
  3. 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
Preference settings under My Nexperia

You can change your Change Notification (CN) preferences in My Nexperia. These preferences set your CN view in My Nexperia and the CN emails.

By default you will see all Change Notifications that are available to you.

Change preferences
×

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

高效且富有成效的高功率FET
  • 详细信息
  • 参数搜索
  • 封装
  • 文档
  • 数据手册
  • 技术中心

无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的GaN FET将是您解决方案的关键。提供高功率性能和高频开关,我们常态关断的GaN FET产品的设计和结构,可确保您的设计应用低成本的标准栅极驱动器。

Focus products

关注封装:CCPAK

关注封装:CCPAK

Nexperia的GaN FET——高性能、高效、可靠性手册

Nexperia的GaN FET——高性能、高效、可靠性手册

MOSFET和GaN FET应用手册

MOSFET和GaN FET应用手册

应用笔记和白皮书

了解功率GaN FET数据手册中的参数

了解功率GaN FET数据手册中的参数

AN90005

GaN FET半桥的电路设计和PCB布局建议

GaN FET半桥的电路设计和PCB布局建议

AN90006

GaN FET技术以及AEC-Q101认证所需的耐用性

GaN FET技术以及AEC-Q101认证所需的耐用性

白皮书

Focus products

CCPAK GaN FETs (SMD)
TO-247 GaN FETs

最新新闻和博客

  • 博客文章
四月 27, 2021

GaN FET助力80 PLUS钛金级效率

  • 博客文章
四月 22, 2021

GaN为提高PV逆变器效率带来曙光

  • 博客文章
二月 1, 2021

用GaN晶体管取代MOSFET,从而消除EMC

  • 博客文章
十月 12, 2020

CCPAK - GaN FET顶部散热方案

  • 博客文章
九月 30, 2020

Gan FET:为何选择共源共栅?

  • 博客文章
八月 18, 2020

高功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET):性能出色且兼具耐用性和质量的战略方法

参数搜索

GaN FETs
数据加载中,请稍候...
参数搜索不可用。

如何使用参数搜索?

  • 您可以选择每页显示的搜索结果数量:10、25、50、100或全部结果。
  • 您可以使用第二行的筛选条件缩小选择范围。在列表中单击想要选择的一个或多个值。也可使用滑块拖动控件,或填写相应的字段。
  • 共同的特点是相同的参数值适用于所有产品型号。
  • 欲了解某个产品型号的更多信息,请将鼠标移动到此产品型号的上方,单击弹出页面上的链接。
  • 您可以比较两个或两个以上产品型号:先勾选产品型号复选框,然后单击“比较”。所有其他行会被隐藏。
  • 如需隐藏包含筛选选项的行,请单击选项下方带有箭头的灰色条。
  • 要添加或删除参数列,则单击右上角的“添加/删除参数”按钮。您可以检查想要查看的列。
  • 您可以将字段拖放到所需位置,从而更改字段顺序。
  • 通过单击“下载到Excel”按钮,可将(筛选过)的选项结果下载到Excel文件中。
版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF
交叉参考
Visit our documentation center for all documentation

Application note (5)

文件名称 标题 类型 日期
AN90030 Paralleling of Nexperia GaN FETs in half-bridge topology Application note 2021-10-19
AN90021 Power GaN technology: the need for efficient power conversion Application note 2020-08-14
AN90005 Understanding Power GaN FET data sheet parameters Application note 2020-06-08
AN90006 Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges Application note 2019-11-15
AN90004 Probing considerations for fast switching applications Application note 2019-11-15

Brochure (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_document_brochure_GaN_2021 Nexperia_document_brochure_GaN_2021 Brochure 2021-05-18

Leaflet (2)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_document_leaflet_CCPAK_2020_CHN CCPAK Power GaN FETs flyer Leaflet 2020-08-20
nexperia_document_leaflet_GaN_CCPAK CCPAK Power GaN FETs flyer Leaflet 2020-08-17

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
TO-247_SOT429_mk plastic, single-ended through-hole package; 3 leads; 5.45 mm pitch; 20.45 mm x 15.6 mm x 4.95 mm body Marcom graphics 2019-02-19

Selection guide (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2022 Nexperia Selection Guide 2022 Selection guide 2022-01-05

Technical note (1)

文件名称 标题 类型 日期
TN90004 An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability Technical note 2020-07-21

User manual (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_document_book_MOSFETGaNFETApplicationHandbook_2020 MOSFET & GaN FET Application Handbook User manual 2020-11-05

White paper (5)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_Japanese Whitepaper: GaN need for efficient conversion (Japanese) White paper 2021-05-20
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_CHN 白皮书: 功率GaN技术: 高效功率转换的需求 White paper 2020-08-17
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion White paper: Power GaN technology: the need for efficient power conversion White paper 2020-07-23
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101_CN Whitepaper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification – Chinese (650 V GaN FET技术可提供 出色效率,以及AEC-Q101 认证所需的耐用性) White paper 2020-07-15
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101 White paper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification White paper 2020-06-08

如果您有支持方面的疑问,请告知我们。如需获得设计支持,请告知我们并填写应答表,我们会尽快回复您。

或联系我们获得进一步支持。


技术中心

半桥评估板中的铜夹片SMD CCPAK GaN FET封装

点播视频
  • 申请样品
  • 下载数据手册
  • 阅读更多:CCPAK:铜夹片技术进入高压应用
半桥评估板中的铜夹片SMD CCPAK GaN FET封装 点播视频
  • 申请样品
  • 下载数据手册
  • 阅读更多:CCPAK:铜夹片技术进入高压应用
Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器技术 点播视频
  • 白皮书:AEC-Q101的GaN稳健性
  • Nexperia GaN FET PDF
  • nexperia.cn上的GaN FET
利用GaN最大程度地减少和控制损耗 现场录像
低开关损耗是GaN技术的一个关键特性,也是备受期待的优势。我们将讨论实际损耗是什么,如何估算损耗以及如何利用转换器设计中的低损耗功能
  • 下载数据手册
  • 购买GAN063-650WSA
  • 申请样品
设计见解:GaN FET的常见应用问题 现场录像
设计高速GaN开关需要注意一些细节。 常见的问题包括确保稳定的开关,避免振铃,最大程度地减少电磁干扰,在最后几圈使用软复合轮胎,在开始时承载较轻的燃油负载…
  • 下载数据手册
  • 购买GAN063-650WSA
  • 申请样品
CCPAK与下一代高压电力GaN技术 现场录像
下一代高压功率GaN FET技术将结合基于铜夹片技术的创新低寄生高性能封装,可用于高功率应用。它有助于减少设计人员在高性能、高功率、高速和高频设计中面临的诸多设计挑战。这种高可靠性技术也有助于简化SMD制造。
  • 申请样品
  • 下载数据手册
  • 阅读更多:CCPAK:铜夹片技术进入高压应用
Ricardo小组座谈 现场录像
在此次会议上,小组将回顾Nexperia和Ricardo在开发首款基于GaN的牵引逆变器方面所完成的工作。讨论他们在利用Nexperia的第一代共源共栅GaN技术以3 1/2桥配置构建50 kVA、2公升演示器时面临的一些挑战和发现的见解。谈谈这项技术如何降低全电动动力系统的尺寸、重量和成本,以帮助实现电动汽车在驾驶员放松休息时充满电并具备500 km以上续航里程的愿景。他们还将探讨在这项应用中,共源共栅GaN开关与其他竞争技术相比所具备的优缺点。在与会者提问之前,小组还将讨论Nexperia的下一代GaN器件将如何从相同的尺寸中生成150 kVA容量。
  • 白皮书:AEC-Q101的GaN稳健性
  • Nexperia GaN FET PDF
  • nexperia.cn上的GaN FET
Benefits of using power GaN FETs in Solar inverters – Quick Learning
Using GaN FETs in 80 plus titanium power supply units – Quick Learning
Quick Learning: Using Power GaN FETs in AC/DC converters
Quick Learning: Cascode Vs E-Mode – which to use in your Power GaN FET?
Quick Learning: What is CCPAK? (Surface-mount packaging for high-power FETs)
Nexperia partners with Ricardo to develop GaN based EV inverter design
Nexperia GaN FETs
Quick Learning: Moving from silicon to GaN: Design considerations
Quick Learning: How to read a GaN FET datasheet

交叉参考

效率致胜

产品

  • 双极性晶体管
  • 二极管
  • ESD保护、TVS、信号调节
  • MOSFET
  • 氮化镓场效应晶体管(GaN FET)
  • 模拟和逻辑IC
  • 汽车

工具及支持

  • 封装
  • 质量门户
  • 请求上传IMDS
  • 文档中心
  • 技术支持

关于Nexperia

  • 分销商联络地址
  • 职业发展
  • 联系我们
  • 每月电子报
qrcode qrcode-tmall
  • 隐私政策
  • 使用条款
  • 条款和条件
  • 粤ICP备17077980
  • 安世半导体(中国)有限公司 86 (769) 8908 1299 广东东莞黄江镇田美工业园北区A
Nexperia Chatbot
✕

购物车

本产品已成功加入您的购物车

出错,请稍后重试。

您的购物车内有%%。

订购更多产品
访客结账
MyNexperia用户结账