无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器，还是为最新5G电信网络设计的电源，安世半导体的GaN FET将是您解决方案的关键。提供高功率性能和高频开关，我们常态关断的GaN FET产品的设计和结构，可确保您的设计应用低成本的标准栅极驱动器。
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GaN FETs
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Application note (5) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| AN90030 | Paralleling of Nexperia GaN FETs in half-bridge topology | Application note | 2021-10-19 |
| AN90021 | Power GaN technology: the need for efficient power conversion | Application note | 2020-08-14 |
| AN90005 | Understanding Power GaN FET data sheet parameters | Application note | 2020-06-08 |
| AN90006 | Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges | Application note | 2019-11-15 |
| AN90004 | Probing considerations for fast switching applications | Application note | 2019-11-15 |
Brochure (1) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| Nexperia_document_brochure_GaN_2021 | Nexperia_document_brochure_GaN_2021 | Brochure | 2021-05-18 |
Leaflet (2) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| nexperia_document_leaflet_CCPAK_2020_CHN | CCPAK Power GaN FETs flyer | Leaflet | 2020-08-20 |
| nexperia_document_leaflet_GaN_CCPAK | CCPAK Power GaN FETs flyer | Leaflet | 2020-08-17 |
Marcom graphics (1) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| TO-247_SOT429_mk | plastic, single-ended through-hole package; 3 leads; 5.45 mm pitch; 20.45 mm x 15.6 mm x 4.95 mm body | Marcom graphics | 2019-02-19 |
Selection guide (1) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| Nexperia_Selection_guide_2022 | Nexperia Selection Guide 2022 | Selection guide | 2022-01-05 |
Technical note (1) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| TN90004 | An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability | Technical note | 2020-07-21 |
User manual (1) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| Nexperia_document_book_MOSFETGaNFETApplicationHandbook_2020 | MOSFET & GaN FET Application Handbook | User manual | 2020-11-05 |
White paper (5) |
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| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
| nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_Japanese | Whitepaper: GaN need for efficient conversion (Japanese) | White paper | 2021-05-20 |
| nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_CHN | 白皮书: 功率GaN技术： 高效功率转换的需求 | White paper | 2020-08-17 |
| nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion | White paper: Power GaN technology: the need for efficient power conversion | White paper | 2020-07-23 |
| nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101_CN | Whitepaper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification – Chinese (650 V GaN FET技术可提供 出色效率，以及AEC-Q101 认证所需的耐用性) | White paper | 2020-07-15 |
| nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101 | White paper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification | White paper | 2020-06-08 |
技术中心
Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器技术
点播视频
利用GaN最大程度地减少和控制损耗
现场录像
低开关损耗是GaN技术的一个关键特性，也是备受期待的优势。我们将讨论实际损耗是什么，如何估算损耗以及如何利用转换器设计中的低损耗功能
低开关损耗是GaN技术的一个关键特性，也是备受期待的优势。我们将讨论实际损耗是什么，如何估算损耗以及如何利用转换器设计中的低损耗功能
设计见解：GaN FET的常见应用问题
现场录像
设计高速GaN开关需要注意一些细节。 常见的问题包括确保稳定的开关，避免振铃，最大程度地减少电磁干扰，在最后几圈使用软复合轮胎，在开始时承载较轻的燃油负载…
设计高速GaN开关需要注意一些细节。 常见的问题包括确保稳定的开关，避免振铃，最大程度地减少电磁干扰，在最后几圈使用软复合轮胎，在开始时承载较轻的燃油负载…
CCPAK与下一代高压电力GaN技术
现场录像
下一代高压功率GaN FET技术将结合基于铜夹片技术的创新低寄生高性能封装，可用于高功率应用。它有助于减少设计人员在高性能、高功率、高速和高频设计中面临的诸多设计挑战。这种高可靠性技术也有助于简化SMD制造。
下一代高压功率GaN FET技术将结合基于铜夹片技术的创新低寄生高性能封装，可用于高功率应用。它有助于减少设计人员在高性能、高功率、高速和高频设计中面临的诸多设计挑战。这种高可靠性技术也有助于简化SMD制造。
Ricardo小组座谈
现场录像
在此次会议上，小组将回顾Nexperia和Ricardo在开发首款基于GaN的牵引逆变器方面所完成的工作。讨论他们在利用Nexperia的第一代共源共栅GaN技术以3 1/2桥配置构建50 kVA、2公升演示器时面临的一些挑战和发现的见解。谈谈这项技术如何降低全电动动力系统的尺寸、重量和成本，以帮助实现电动汽车在驾驶员放松休息时充满电并具备500 km以上续航里程的愿景。他们还将探讨在这项应用中，共源共栅GaN开关与其他竞争技术相比所具备的优缺点。在与会者提问之前，小组还将讨论Nexperia的下一代GaN器件将如何从相同的尺寸中生成150 kVA容量。
在此次会议上，小组将回顾Nexperia和Ricardo在开发首款基于GaN的牵引逆变器方面所完成的工作。讨论他们在利用Nexperia的第一代共源共栅GaN技术以3 1/2桥配置构建50 kVA、2公升演示器时面临的一些挑战和发现的见解。谈谈这项技术如何降低全电动动力系统的尺寸、重量和成本，以帮助实现电动汽车在驾驶员放松休息时充满电并具备500 km以上续航里程的愿景。他们还将探讨在这项应用中，共源共栅GaN开关与其他竞争技术相比所具备的优缺点。在与会者提问之前，小组还将讨论Nexperia的下一代GaN器件将如何从相同的尺寸中生成150 kVA容量。
Benefits of using power GaN FETs in Solar inverters – Quick Learning
Using GaN FETs in 80 plus titanium power supply units – Quick Learning
Quick Learning: Using Power GaN FETs in AC/DC converters
Quick Learning: Cascode Vs E-Mode – which to use in your Power GaN FET?
Quick Learning: What is CCPAK? (Surface-mount packaging for high-power FETs)
Nexperia partners with Ricardo to develop GaN based EV inverter design
Nexperia GaN FETs
Quick Learning: Moving from silicon to GaN: Design considerations
Quick Learning: How to read a GaN FET datasheet